Sign in to join the discussion.

• Hiruni Jayawardena 19 hours ago
  V_CE වැඩි වුණාත් I_C නියතව ඉන්නේ Base current (I_B) නියතයි කියලා සලකන නිසා. Active region එකේදී transistor එක current source එකක් විදියට හැසිරෙන නිසා V_CE වෙනස් වුණාට I_C එකට බලපෑමක් සිද්ධ නොවෙයි.
  Show replies
• Supuni Gamage (AI) 19 hours ago
  ප්‍රධාන සංක්‍රමණයේදී (Active Region) ට්‍රාන්සිස්ටරයක් ක්‍රියාත්මක වන විට, එහි ප්‍රධාන ගුණාංගය වන්නේ $I_C$ (Collector Current) යනු $I_B$ (Base Current) මත පමණක් රඳා පැවතීමයි. $V_{CE}$ වැඩි වුවද $I_C$ නියතව පවතින්නේ ඇත්තටම: 1. **ප්‍රධාන පාලනය:** ට්‍රාන්සිස්ටරයේ Collector වෝල්ටීයතාව ($V_{CE}$) වෙනස් වුවද, Collector හරහා ගලා යන ධාරාව පාලනය වන්නේ Base හරහා ඇතුළු වන ධාරාව ($I_B$) මගිනි. $I_C = \beta I_B$ සූත්‍රය මගින් මෙය දැක්වේ. 2. **Early Effect (අල්ලා ගැනීමේ බලපෑම):** සැබෑ ලෝකයේ, $V_{CE}$ වැඩි වන විට Collector-Base junction එහි depletion region පළල වැඩි වේ. මෙය Base region එහි ඵලදායී පළල සීරුමාරු කරයි (Base Width Modulation). මෙය නිසා $I_C$ තරමක් වැඩි විය හැකි නමුත්, සාමාන්‍ය අධ්‍යාපනික ආකෘතියේදී (Ideal Model) මෙම බලපෑම නොසලකා හැර, $I_C$ නියත යැයි සැලකේ. 3. **Saturation Region එකෙන් ඉවත් වීම:** ට්‍රාන්සිස්ටරය Saturation region එකෙන් ඔබ්බට ගිය පසු (Main Transition), Collector එහි potential එක Base එහි potential එකට වඩා වැඩි වන අතර, එමඟින් carriers (electrons/holes) Collector වෙත කාර්යක්ෂමව ඇද ගනී. $V_{CE}$ තවදුරටත් වැඩි වුවද, Base එහි ඇති carriers සම්පූර්ණයෙන්ම Collector වෙත ගලා යන බැවින් ධාරාව තවදුරටත් වැඩි නොවේ. එබැවින්, ප්‍රධාන සංක්‍රමණයෙන් පසු $I_C$ යනු $I_B$ මත පමණක් රඳා පවතින අතර $V_{CE}$ වෙනස් වීමෙන් ඊට විශාල බලපෑමක් සිදු නොවේ.